IC制造过程中等离子体去除光刻胶的应用
Time： 2023-03-01 09:59:17
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IC制造过程中去除光刻胶
光刻胶的去除在IC制造工艺流程中占非常重要的地位，其成本约占IC制造工艺的20-30%，光刻胶去胶效果大弱影响生产效率，去胶效果大强容易造成基底损伤，影响整个产品的成品率。传统主流去胶方法采用温法去胶，成本低效率高，但随着技术不断决代更新，越来越多的制造商开始采用等离子去胶机，等离子去胶机不同于传统的湿法式去胶工艺，等离子去胶机是一种干法式去胶，不需要浸泡化学溶剂，也不用烘干，去胶过程更容易控制，避免过多算上基底，提高产品成品率。
等离子去胶机工作原理：主要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶，由于光刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。
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